SI1958DH-T1-E3

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Pièce du fabricant

SI1958DH-T1-E3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
SI1958DH-T1-E3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.3A
  • rds sur (max) @ id, vgs:205mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.6V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:3.8nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:105pF @ 10V
  • puissance - maximum:1.25W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • paquet de dispositif de fournisseur:SC-70-6 (SOT-363)
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