PDTB113ES,126

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Pièce du fabricant

PDTB113ES,126

Fabricant
NXP Semiconductors
La description
TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
PDTB113ES,126 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Box (TB)
  • état de la pièce:Obsolete
  • à transistors:PNP - Pre-Biased
  • courant - collecteur (ic) (max):500 mA
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
  • résistance - base (r1):1 kOhms
  • résistance - base émettrice (r2):1 kOhms
  • gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:33 @ 50mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
  • courant - coupure collecteur (max):500nA
  • fréquence - transition:-
  • puissance - maximum:500 mW
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-92-3
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