STG3P2M10N60B

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Pièce du fabricant

STG3P2M10N60B

Fabricant
STMicroelectronics
La description
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
STG3P2M10N60B PDF
Enquête
  • séries:SEMITOP®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:-
  • configuration:Three Phase Inverter
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):19 A
  • puissance - maximum:56 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.5V @ 15V, 7A
  • courant - coupure collecteur (max):10 µA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:0.72 nF @ 25 V
  • contribution:Single Phase Bridge Rectifier
  • thermistance ntc:No
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SEMITOP®2
  • paquet de dispositif de fournisseur:SEMITOP®2
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