VS-GB100TH120N

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Pièce du fabricant

VS-GB100TH120N

Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
La description
IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
VS-GB100TH120N PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:-
  • configuration:Half Bridge
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):200 A
  • puissance - maximum:833 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.35V @ 15V, 100A
  • courant - coupure collecteur (max):5 mA
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:8.58 nF @ 25 V
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:No
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • paquet de dispositif de fournisseur:Double INT-A-PAK
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