MT47H512M4EB-3:C

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Pièce du fabricant

MT47H512M4EB-3:C

Fabricant
Micron Technology
La description
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Catégorie
circuits intégrés
Famille
Mémoire
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
MT47H512M4EB-3:C PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tray
  • état de la pièce:Obsolete
  • type de mémoire:Volatile
  • formatage de la mémoire:DRAM
  • La technologie:SDRAM - DDR2
  • taille mémoire:2Gb (512M x 4)
  • interface mémoire:Parallel
  • fréquence d'horloge:333 MHz
  • temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
  • temps d'accès:450 ps
  • tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
  • température de fonctionnement:0°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:60-TFBGA
  • paquet de dispositif de fournisseur:60-FBGA (9x11.5)
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