XPH2R106NC,L1XHQ

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Pièce du fabricant

XPH2R106NC,L1XHQ

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
9832
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:110A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:2.1mOhm @ 55A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:104 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:6900 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):960mW (Ta), 170W (Tc)
  • température de fonctionnement:175°C
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SOP Advance (5x5)
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
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