NTD3817N-35G

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Pièce du fabricant

NTD3817N-35G

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
15525
Fiches techniques en ligne
NTD3817N-35G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):16 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:13.9mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±16V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:702 pF @ 12 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
  • paquet / caisse:TO-251-3 Stub Leads, IPak
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