FQPF4N80

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Pièce du fabricant

FQPF4N80

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO220F
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
6114
Fiches techniques en ligne
FQPF4N80 PDF
Enquête
  • séries:QFET®
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):800 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:2.2A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:3.6Ohm @ 1.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:880 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):43W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220F
  • paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack
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