Name: IPB039N10N3GE8187ATMA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPB039N10N3GE8187ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: IPB039N10N3GE8187ATMA1

Fabricant: IR (Infineon Technologies)

La description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 0

Fiches techniques en ligne: IPB039N10N3GE8187ATMA1 PDF

IPB039N10N3GE8187ATMA1 Avis

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séries:OptiMOS™
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:160A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 160µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:117 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:8410 pF @ 50 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):214W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-7
paquet / caisse:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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Numéro d'article	La description	Stocker	Prix unitaire
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DMN6140L-13 Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)	MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23	En stock: 54 222	$0.37000