AONS1R6A70

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Pièce du fabricant

AONS1R6A70

Fabricant
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description
MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
2987
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:aMOS™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):700 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.1A (Ta), 4.6A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.6Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:354 pF @ 100 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):4.1W (Ta), 78W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-DFN-EP (5x6)
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
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