IPAW60R190CEXKSA1

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Pièce du fabricant

IPAW60R190CEXKSA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
659
Fiches techniques en ligne
IPAW60R190CEXKSA1 PDF
Enquête
  • séries:CoolMOS™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:26.7A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:190mOhm @ 9.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 630µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 100 V
  • fonction fet:Super Junction
  • puissance dissipée (max):34W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO220 Full Pack
  • paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack
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