Name: SIHB25N50E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHB25N50E-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: SIHB25N50E-GE3

Fabricant: Vishay / Siliconix

La description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 8

Fiches techniques en ligne: SIHB25N50E-GE3 PDF

SIHB25N50E-GE3 Avis

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séries:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:26A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1980 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):250W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-263 (D²Pak)
paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Numéro d'article	La description	Stocker	Prix unitaire
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