DMN3018SFGQ-7

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Pièce du fabricant

DMN3018SFGQ-7

Fabricant
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
La description
MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
DMN3018SFGQ-7 PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:8.5A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:21mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:13.2 nC @ 10 V
  • vg (max):±25V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:697 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1W (Ta)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerDI3333-8
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
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