SI8439DB-T1-E1

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Pièce du fabricant

SI8439DB-T1-E1

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
92
Fiches techniques en ligne
SI8439DB-T1-E1 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):8 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.9A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.2V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:25mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:800mV @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:4-Microfoot
  • paquet / caisse:4-UFBGA
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