IPD80R2K8CEATMA1

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Pièce du fabricant

IPD80R2K8CEATMA1

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
IPD80R2K8CEATMA1 PDF
Enquête
  • séries:CoolMOS™ CE
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):800 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1.9A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:2.8Ohm @ 1.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 120µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 100 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):42W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO252-3
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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