FQU12N20TU

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Pièce du fabricant

FQU12N20TU

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
20847
Fiches techniques en ligne
FQU12N20TU PDF
Enquête
  • séries:QFET®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):200 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:9A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:280mOhm @ 4.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
  • vg (max):±30V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:910 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 55W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
  • paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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