SSM3J66MFV,L3F

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Pièce du fabricant

SSM3J66MFV,L3F

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
7265
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:U-MOSVI
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:800mA (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.2V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:390mOhm @ 800mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:1.6 nC @ 4.5 V
  • vg (max):+6V, -8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:100 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):150mW (Ta)
  • température de fonctionnement:150°C
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:VESM
  • paquet / caisse:SOT-723
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