RF4E060AJTCR

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Pièce du fabricant

RF4E060AJTCR

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
2950
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:6A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):2.5V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:37mOhm @ 6A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±12V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:450 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2W (Ta)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:HUML2020L8
  • paquet / caisse:8-PowerUDFN
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