TN0110N3-G-P002

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Pièce du fabricant

TN0110N3-G-P002

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
TN0110N3-G-P002 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):100 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:350mA (Tj)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:3Ohm @ 500mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 500µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:60 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):1W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-92-3
  • paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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