NVD5802NT4G-VF01

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Pièce du fabricant

NVD5802NT4G-VF01

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):40 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:16.4A (Ta), 101A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:4.4mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:5300 pF @ 12 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:DPAK
  • paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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