SCT3080KLGC11

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Pièce du fabricant

SCT3080KLGC11

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
1935
Fiches techniques en ligne
SCT3080KLGC11 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • tension drain-source (vdss):1200 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:31A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):18V
  • rds sur (max) @ id, vgs:104mOhm @ 10A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:5.6V @ 5mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 18 V
  • vg (max):+22V, -4V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:785 pF @ 800 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):165W (Tc)
  • température de fonctionnement:175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247N
  • paquet / caisse:TO-247-3
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