UF3C065080B7S

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Pièce du fabricant

UF3C065080B7S

Fabricant
UnitedSiC
La description
SICFET P-CH 650V 27A D2PAK-7
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
780
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • tension drain-source (vdss):650 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:27A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:105mOhm @ 20A, 12V
  • vgs(th) (max) @ id:6V @ 10mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 12 V
  • vg (max):±25V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 100 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):136.4W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:D2PAK-7
  • paquet / caisse:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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