Name: TP65H070LDG
Brand: Transphorm
SKU: TP65H070LDG
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: TP65H070LDG

Fabricant: Transphorm

La description: GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 673

Fiches techniques en ligne: -

TP65H070LDG Avis

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séries:TP65H070L
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:25A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4.8V @ 700µA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:9.3 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 400 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):96W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:3-PQFN (8x8)
paquet / caisse:3-PowerDFN

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