NTE2946

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Pièce du fabricant

NTE2946

Fabricant
NTE Electronics, Inc.
La description
MOSFET-PWR N-CHAN ENHAN
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
388
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bag
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):500 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4.6A
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:850mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:74 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1510 pF @ 25 V
  • fonction fet:Standard
  • puissance dissipée (max):40W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220 Full Pack
  • paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack
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