RQ3E180GNTB

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Pièce du fabricant

RQ3E180GNTB

Fabricant
ROHM Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
3000
Fiches techniques en ligne
RQ3E180GNTB PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:18A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:4.3mOhm @ 18A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:22.4 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1520 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2W (Ta)
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-HSMT (3.2x3)
  • paquet / caisse:8-PowerVDFN
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