HUFA76419S3ST

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Pièce du fabricant

HUFA76419S3ST

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
HUFA76419S3ST PDF
Enquête
  • séries:UltraFET™
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:29A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:35mOhm @ 29A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
  • vg (max):±16V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:900 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):75W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:D²PAK (TO-263AB)
  • paquet / caisse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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