EPC2035

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Pièce du fabricant

EPC2035

Fabricant
EPC
La description
GANFET N-CH 60V 1A DIE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
2506
Fiches techniques en ligne
EPC2035 PDF
Enquête
  • séries:eGaN®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
  • tension drain-source (vdss):60 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:1A (Ta)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:45mOhm @ 1A, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 800µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:1.15 nC @ 5 V
  • vg (max):+6V, -4V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:115 pF @ 30 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):-
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:Die
  • paquet / caisse:Die
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