PSMN1R2-30YLDX

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Pièce du fabricant

PSMN1R2-30YLDX

Fabricant
Nexperia
La description
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
162750
Fiches techniques en ligne
PSMN1R2-30YLDX PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):30 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:100A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:1.24mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:68 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4616 pF @ 15 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):194W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:LFPAK56, Power-SO8
  • paquet / caisse:SC-100, SOT-669
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