SI3493BDV-T1-E3

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Pièce du fabricant

SI3493BDV-T1-E3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
2103000
Fiches techniques en ligne
SI3493BDV-T1-E3 PDF
Enquête
  • séries:TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:P-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):20 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:8A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):1.8V, 4.5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:27.5mOhm @ 7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:900mV @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:43.5 nC @ 5 V
  • vg (max):±8V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1805 pF @ 10 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:6-TSOP
  • paquet / caisse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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