HTNFET-T

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Pièce du fabricant

HTNFET-T

Fabricant
Honeywell Aerospace
La description
MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
2
Fiches techniques en ligne
HTNFET-T PDF
Enquête
  • séries:HTMOS™
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):55 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:-
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):5V
  • rds sur (max) @ id, vgs:400mOhm @ 100mA, 5V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 100µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:4.3 nC @ 5 V
  • vg (max):10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 28 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):50W (Tj)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 225°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:4-Power Tab
  • paquet / caisse:4-SIP
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