SISS10ADN-T1-GE3

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Pièce du fabricant

SISS10ADN-T1-GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
28350
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:TrenchFET® Gen IV
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):40 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:31.7A (Ta), 109A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:2.65mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:61 nC @ 10 V
  • vg (max):+20V, -16V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3030 pF @ 20 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
  • paquet / caisse:PowerPAK® 1212-8S
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