IRF6811STRPBF

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Pièce du fabricant

IRF6811STRPBF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
50000
Fiches techniques en ligne
IRF6811STRPBF PDF
Enquête
  • séries:DirectFET®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):25 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:19A (Ta), 74A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:3.7mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 35µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 4.5 V
  • vg (max):±16V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1590 pF @ 13 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):2.1W (Ta), 32W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:DirectFET™ Isometric SQ
  • paquet / caisse:DirectFET™ Isometric SQ
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