G3R20MT12N

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Pièce du fabricant

G3R20MT12N

Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
84
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:G3R™
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • tension drain-source (vdss):1200 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:105A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):15V
  • rds sur (max) @ id, vgs:24mOhm @ 60A, 15V
  • vgs(th) (max) @ id:2.69V @ 15mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:219 nC @ 15 V
  • vg (max):+20V, -10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:5873 pF @ 800 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):365W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SOT-227
  • paquet / caisse:SOT-227-4, miniBLOC
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