Name: IPW65R080CFDAFKSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IPW65R080CFDAFKSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Pièce du fabricant: IPW65R080CFDAFKSA1

Fabricant: IR (Infineon Technologies)

La description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3

Catégorie: produits semi-conducteurs discrets

Famille: transistors - fets, mosfets - simples

Séries: -

En stock: 659

Fiches techniques en ligne: IPW65R080CFDAFKSA1 PDF

IPW65R080CFDAFKSA1 Avis

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séries:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:43.3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:80mOhm @ 17.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 1.76mA

charge de grille (qg) (max) @ vgs:161 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4440 pF @ 100 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):391W (Tc)
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO247-3
paquet / caisse:TO-247-3

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Numéro d'article	La description	Stocker	Prix unitaire
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