IRG8P15N120KD-EPBF

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Pièce du fabricant

IRG8P15N120KD-EPBF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
8125
Fiches techniques en ligne
IRG8P15N120KD-EPBF PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1.2 V
  • courant - collecteur (ic) (max):30 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):30 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 10A
  • puissance - maximum:125 W
  • énergie de commutation:600µJ (on), 600µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:98 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:15ns/170ns
  • condition de test:600V, 10A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):60 ns
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247AD
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