NGTB30N120FL2WG

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Pièce du fabricant

NGTB30N120FL2WG

Fabricant
Rochester Electronics
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
3694
Fiches techniques en ligne
NGTB30N120FL2WG PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1.2 V
  • courant - collecteur (ic) (max):60 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 30A
  • puissance - maximum:452 W
  • énergie de commutation:2.6mJ (on), 700µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:220 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:98ns/210ns
  • condition de test:600V, 30A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):240 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247
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