AFGY100T65SPD

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Pièce du fabricant

AFGY100T65SPD

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
4502250
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type d'igbt:Trench Field Stop
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):120 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):300 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.05V @ 15V, 100A
  • puissance - maximum:660 W
  • énergie de commutation:5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:109 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:36ns/78ns
  • condition de test:400V, 100A, 5Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):105 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247-3
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