IRGP6660D-EPBF

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Pièce du fabricant

IRGP6660D-EPBF

Fabricant
Rochester Electronics
La description
IGBT WITH RECOVERY DIODE
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
1090
Fiches techniques en ligne
IRGP6660D-EPBF PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:-
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):600 V
  • courant - collecteur (ic) (max):95 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):144 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 48A
  • puissance - maximum:330 W
  • énergie de commutation:600µJ (on), 1.3mJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:95 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:60ns/155ns
  • condition de test:400V, 48A, 10Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):70 ns
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-247-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247AD
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