HGTP5N120BND

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Pièce du fabricant

HGTP5N120BND

Fabricant
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
La description
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbts - simples
Séries
-
En stock
8000
Fiches techniques en ligne
HGTP5N120BND PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Not For New Designs
  • type d'igbt:NPT
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):1200 V
  • courant - collecteur (ic) (max):21 A
  • courant - collecteur pulsé (icm):40 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 5A
  • puissance - maximum:167 W
  • énergie de commutation:450µJ (on), 390µJ (off)
  • type d'entrée:Standard
  • frais de porte:53 nC
  • td (marche/arrêt) @ 25°c:22ns/160ns
  • condition de test:960V, 5A, 25Ohm, 15V
  • temps de récupération inverse (trr):65 ns
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet / caisse:TO-220-3
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3
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