FDMS3602S

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Pièce du fabricant

FDMS3602S

Fabricant
Rochester Electronics
La description
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
15137
Fiches techniques en ligne
FDMS3602S PDF
Enquête
  • séries:PowerTrench®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):25V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:15A, 26A
  • rds sur (max) @ id, vgs:5.6mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:27nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1680pF @ 13V
  • puissance - maximum:1W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:Power56
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