SSM6L09FUTE85LF

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Pièce du fabricant

SSM6L09FUTE85LF

Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
La description
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
8762
Fiches techniques en ligne
SSM6L09FUTE85LF PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N and P-Channel
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:400mA, 200mA
  • rds sur (max) @ id, vgs:700mOhm @ 200MA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1.8V @ 100µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:20pF @ 5V
  • puissance - maximum:300mW
  • température de fonctionnement:150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • paquet de dispositif de fournisseur:US6
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