AUIRF7379QTR

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Pièce du fabricant

AUIRF7379QTR

Fabricant
IR (Infineon Technologies)
La description
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
AUIRF7379QTR PDF
Enquête
  • séries:HEXFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:N and P-Channel
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:5.8A, 4.3A
  • rds sur (max) @ id, vgs:45mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:25nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:520pF @ 25V
  • puissance - maximum:2.5W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SO
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