SQJ200EP-T1_GE3

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Pièce du fabricant

SQJ200EP-T1_GE3

Fabricant
Vishay / Siliconix
La description
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
1229
Fiches techniques en ligne
SQJ200EP-T1_GE3 PDF
Enquête
  • séries:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual)
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):20V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:20A, 60A
  • rds sur (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:18nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:975pF @ 10V
  • puissance - maximum:27W, 48W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:PowerPAK® SO-8 Dual
  • paquet de dispositif de fournisseur:PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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