APTM120H29FG

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Pièce du fabricant

APTM120H29FG

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
APTM120H29FG PDF
Enquête
  • séries:POWER MOS 7®
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Active
  • type fet:4 N-Channel (H-Bridge)
  • fonction fet:Standard
  • tension drain-source (vdss):1200V (1.2kV)
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:34A
  • rds sur (max) @ id, vgs:348mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 5mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:374nC @ 10V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:10300pF @ 25V
  • puissance - maximum:780W
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:SP6
  • paquet de dispositif de fournisseur:SP6
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