CSD87312Q3E

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Pièce du fabricant

CSD87312Q3E

Fabricant
Texas
La description
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
15600
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:NexFET™
  • emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N-Channel (Dual) Common Source
  • fonction fet:Logic Level Gate
  • tension drain-source (vdss):30V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:27A
  • rds sur (max) @ id, vgs:33mOhm @ 7A , 8V
  • vgs(th) (max) @ id:1.3V @ 250µA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:8.2nC @ 4.5V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1250pF @ 15V
  • puissance - maximum:2.5W
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet / caisse:8-PowerTDFN
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-VSON (3.3x3.3)
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