MSCSM120AM31CT1AG

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Pièce du fabricant

MSCSM120AM31CT1AG

Fabricant
Roving Networks / Microchip Technology
La description
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - matrices
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Active
  • type fet:2 N Channel (Phase Leg)
  • fonction fet:Silicon Carbide (SiC)
  • tension drain-source (vdss):1200V (1.2kV)
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:89A (Tc)
  • rds sur (max) @ id, vgs:31mOhm @ 40A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:232nC @ 20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3020pF @ 1000V
  • puissance - maximum:395W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:SP1F
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