VS-ETF150Y65N

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Pièce du fabricant

VS-ETF150Y65N

Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
La description
IGBT MOD 650V 201A 600W
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - igbt - modules
Séries
-
En stock
8
Fiches techniques en ligne
VS-ETF150Y65N PDF
Enquête
  • séries:FRED Pt®
  • emballer:Box
  • état de la pièce:Obsolete
  • type d'igbt:NPT
  • configuration:Half Bridge Inverter
  • tension - claquage collecteur émetteur (max):650 V
  • courant - collecteur (ic) (max):201 A
  • puissance - maximum:600 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.17V @ 15V, 150A
  • courant - coupure collecteur (max):-
  • capacité d'entrée (cies) @ vce:-
  • contribution:Standard
  • thermistance ntc:Yes
  • température de fonctionnement:175°C (TJ)
  • Type de montage:-
  • paquet / caisse:Module
  • paquet de dispositif de fournisseur:Module
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