APTC60DAM35T1G

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Pièce du fabricant

APTC60DAM35T1G

Fabricant
Microsemi
La description
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
APTC60DAM35T1G PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Bulk
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):600 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:72A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:35mOhm @ 72A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 5.4mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:518 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:14000 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):416W (Tc)
  • température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Chassis Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:SP1
  • paquet / caisse:SP1
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