PHK12NQ10T,518

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Pièce du fabricant

PHK12NQ10T,518

Fabricant
NXP Semiconductors
La description
MOSFET N-CH 100V 11.6A 8SO
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
-
Enquête
  • séries:TrenchMOS™
  • emballer:Tape & Reel (TR)
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:N-Channel
  • La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • tension drain-source (vdss):100 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:11.6A (Tc)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
  • rds sur (max) @ id, vgs:28mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
  • vg (max):±20V
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1965 pF @ 25 V
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):8.9W (Tc)
  • température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage:Surface Mount
  • paquet de dispositif de fournisseur:8-SO
  • paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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