GA04JT17-247

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Pièce du fabricant

GA04JT17-247

Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
TRANS SJT 1700V 4A TO247AB
Catégorie
produits semi-conducteurs discrets
Famille
transistors - fets, mosfets - simples
Séries
-
En stock
0
Fiches techniques en ligne
GA04JT17-247 PDF
Enquête
  • séries:-
  • emballer:Tube
  • état de la pièce:Obsolete
  • type fet:-
  • La technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • tension drain-source (vdss):1700 V
  • courant - drain continu (id) @ 25°c:4A (Tc) (95°C)
  • tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
  • rds sur (max) @ id, vgs:480mOhm @ 4A
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
  • vg (max):-
  • capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
  • fonction fet:-
  • puissance dissipée (max):106W (Tc)
  • température de fonctionnement:175°C (TJ)
  • Type de montage:Through Hole
  • paquet de dispositif de fournisseur:TO-247AB
  • paquet / caisse:TO-247-3
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